碳化硅磨抛工艺

       碳化硅材料作为生长外延结构有着晶格匹配好的优点，但是极其高德硬度（莫氏硬度9.8）以及极强的表面张力，却给磨抛效率与表面品质带来极大的难度，磨抛工艺对后期使用起到决定性的作用，我公司可提供碳化硅磨抛工艺技术，从粗磨-精磨-粗抛-精抛等独特工艺来解决碳化硅磨抛难题。

氮化镓磨抛工艺

       氮化镓材料是极稳定又坚硬的半导体材料，由于其禁带宽度大（3.4eV），热导率高（1.3W/cm-K），在光电子、高温大功率器件和高频微波器件应用方面有着广阔的前景。但是极高的硬度（莫氏硬度9.2），却给磨抛效率与表面品质带来极大的难度，磨抛工艺对后期使用起到决定性的作用，我公司可提供碳化硅磨抛工艺技术，从粗磨-精磨-粗抛-精抛等独特工艺来解决氮化镓的磨抛难题。

蓝宝石磨抛工艺

       蓝宝石材料是极稳定又坚硬的照明半导体材料，由于其物理性质的稳定性，在LED半导体，光学窗口及宝石轴承方面有很广泛的应用。但是极高的硬度（莫氏硬度9.0），却给磨抛效率与表面品质带来极大的难度，磨抛工艺对后期使用起到决定性的作用，我公司可提供碳化硅磨抛工艺技术，从粗磨-精磨-粗抛-精抛等独特工艺来解决氮化镓的磨抛难题。