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单晶硅 (Silicon)



硅材料是目前主要的元素半导体材料,用于半导体集成电路、二极管、外延片衬底、太阳能电池等领域,是电子工业的基础材料。热氧化是硅平面技术中一项重要的工艺,硅与含有氧化物质的气体,如水汽和氧气在高温下进行化学反应,在硅片表面产生一层致密的二氧化硅(SiO2)绝缘薄膜,具有稳定的化学性质,在集成电路制造中有广泛的应用。

 

常用规格(点击可在线购买):

2英寸硅片  |  3英寸硅片  |  4英寸硅片  |  6英寸硅片  | 8英寸硅片

晶向 <111>  |  <100>  |  <110>

掺杂N(Phosphorous, Antimony, Arsenic掺杂)   |  P(Boron掺杂)  |  高阻 (无掺杂)

电阻率0.001-0.01 ohm.cm   |  1-10 ohm.cm   |  >5000 ohm.cm (高阻)

抛光:单面抛光  |  双面抛光

 

2英寸热氧化硅片  |  4英寸热氧化硅片  |  6英寸热氧化硅片

氧化:单面氧化  |  双面氧化

抛光:单面抛光  |  双面抛光

* 更多规格请下载《产品手册》或 联系客服

 



硅材料的物化性质

  

硅材料硬而脆(Mohs 7.0);禁带宽度1.12eV;对光的吸收处于红外波段,具有高发射率和折射率(3.42);硅具有明显的热传导和热膨胀性质(线性膨胀系数2.6*10^-6/K),硅熔化体积缩小,凝固时膨胀,有较大的表面张力系数(表面张力720 dyn/cm);室温下硅无延展性,温度高于800度有明显塑形,在应力作用下容易发生塑性形变,硅的抗拉力大于抗减应力,在加工中容易产生弯曲和翘曲。

硅的化学性质比较稳定,常温下无自由态存在,以SiO2以及硅酸盐的形式存在,常温下容易与混合酸、活性碱反应;高温下化学性质活泼(容易与Cl2O2N2反应),与熔融的金属如Mg/ Cu/ Fe/ Ti/ W/ Mo生成硅化合物,与Cu2+/ Pb2+/ Ag+/ Hg+等金属发生置换反应。

单晶硅具有准金属的物理性质,有较弱的导电性,其电导率随温度的升高而增加,有显著的半导电性。超纯的单晶硅是本征半导体,在超纯单晶硅中掺入一定量的电学杂质(掺杂剂),能控制单晶硅的导电类型和电阻率,实际应用中选择何种掺杂剂取决于掺杂剂在硅熔体中的分凝系数、蒸发系数及所需的掺杂。微量的A族元素如B/Al/Ga/In可提高其导电的程度,形成p型硅半导体;如掺入微量的ⅤA族元素如P/As/Sb也可提高导电程度,形成n型硅半导体。

硅单晶属于立方晶体结构,在晶面上的原子密度是以111>110>100的次序递减,因此扩散速度及腐蚀速度是以111<110<100方向递增。不同晶面、晶向性质有所差异,微电子工艺是基于不同产品特性,采用不同晶面的硅片作为衬底材料的。<100><110>的晶圆是MEMS中用途广泛的晶面,在实现腐蚀的过程中,湿法蚀刻主要依靠不同晶面的腐蚀速率之间的差异来实现,如悬架梁、桥、凹坑结构的实现中,采取100面的晶圆加工,沿<110>晶向做掩膜,在碱性溶液中腐蚀,可以实现与100面夹角54.7度的 {111} 光滑面,常用于压力传感器等结构的制作。湿法腐蚀110面硅片时,表现出与100面硅片不同的特性,在110面硅片上腐蚀制作出垂直于衬底的 {111} 面,可以提供大面积、高质量的光学表面,在光学领域有广泛的应用。<111>方向的原子表面密度高,该面较为坚固比较适合高功率的元件。

目前单晶硅制备的主要技术是直拉法(CZ)与区熔法(FZ)。直拉法工艺投料量大,易于调整热场,获得合理的径向和轴向温度梯度,因而能够制备完整性良好的大直径单晶,容易获得无位错单晶,并可降低微缺陷密度。直拉法生长的单晶硅主要用于半导体集成电路、二极管、外延片衬底、太阳能电池。区熔法工艺可以多次提纯,且无需坩埚的特点使晶体生长过程不会被坩埚材料污染,且由于硅中杂质的分凝和蒸发效应,区熔法特别适用于制备高纯硅单晶,另外,区熔法制备硅单晶氧、碳含量较低,载流子浓度较低,适用于用于制备高阻硅单晶。区熔法单晶硅主要用于高压大功率可控整流器件领域。  


关于区熔法单晶硅


本征及超高阻区熔硅单晶(FZ-Silicon):通过区熔工艺拉制的低杂质含量、低缺陷密度,晶格结构完美的硅单晶,晶体生长过程中不引入任何杂质,其电阻率通常在1000Ω•cm 以上,主要用于制作高反压器件和光电子器件。

中子辐照区熔硅单晶(NTDFZ-Silicon):本征区熔硅单晶通过中子辐照可获得高电阻率均匀性的硅单晶,保证了器件制作的成品率和一致性。主要用于制作硅整流器(SR)、可控硅(SCR)、巨型晶体管(GTR)、晶闸管(GRO)、静电感应晶闸管(SITH)、绝缘栅双极晶体管(IGBT)、超高压二极管(PIN)、 智能功率器件(SMART POWER)、功率集成器件(POWER IC)等,是各类变频器、整流器、大功率控制器件、新型电力电子器件的主体功能材料,也是多种探测器、传感器、光电子器件和特殊功率器件等的主体功能材料。

气相掺杂区熔硅单晶(GDFZ-Silicon):利用杂质的扩散机理,在用区熔工艺拉制硅单晶的过程中加入气相杂质,从根本上解决了区熔工艺掺杂困难的问题,可得到任意导电型号、宽电阻率范围、电阻率均匀性与中子辐照相当的大直径低成本区熔气掺硅单晶,其电阻率在0.01-200Ω.cm,少子寿命达500-2000s,径向电阻率不均匀性≤10%,。适用于制作各类半导体功率器件、绝缘栅双极晶体管(IGBT)、高效太阳能电池等。

直拉区熔硅单晶(CFZ-Silicon)采用直拉与区熔两种工艺相结合的方式拉制硅单晶,产品质量介于直拉单晶和区熔单晶之间。可掺入特殊元素例如镓(Ga)、锗(Ge)等。采用直拉区熔法制备的新一代CFZ太阳能硅片,其各项性能指标均远优于当前全球光伏产业使用的各类硅片,太阳能电池转换效率高达24-26%。产品主要应用于特殊结构、背接触、HIT等特殊工艺制作的高效太阳能电池上,并更为广泛的用于LED、功率器件、汽车、卫星等众多产品和领域中。 

  

硅片的氧化技术

  

硅与含有氧化物质的气体,例如水汽和氧气在高温下进行化学反应,在硅片表面产生一层致密的二氧化硅(SiO2)薄膜,这是硅平面技术中一项重要的工艺。目前普遍采用干氧-湿氧-干氧交替的氧化方法制备二氧化硅薄膜,热氧化工艺生长的二氧化硅薄膜具有无定形玻璃状结构,这种结构的基本单元是一个由Si-O原子组成的正四面体。硅是一种半导体材料,二氧化硅则是一种上好的绝缘材料,具有极其稳定的化学性质,优良特性使其在集成电路制造中有着非常广泛的应用:

掩蔽杂质:二氧化硅对杂质的扩散起到掩蔽作用。在集成电路制造中,几种常用的杂质如硼、磷、砷等在二氧化硅膜中的扩散要比它们在硅中的扩散慢很多。因此,在制作半导体器件的各个区(如晶体管的源漏区)时,最常采用的方法是首先在硅晶圆片表面生长一层氧化膜,经过光刻、显影后,再刻蚀掉需掺杂区域表面的氧化膜,从而形成掺杂窗口,通过窗口选择性地将杂质注入相应的区域中。

栅氧化层:在MOS/CMOS集成电路的制造工艺中,通常用siO2作为MOS晶体管的绝缘栅介质,即栅氧层。

介质隔离:集成电路制作中的隔离方法有PN结隔离和介质隔离,其中介质隔离通常选择的就是siO2氧化膜。例如CMOS工艺中的场氧(用来隔离PMOSNMOS晶体管)就是siO2膜,用来隔离PMOS管和NMOS管的有源区。

绝缘介质:二氧化硅是良好的绝缘体,因此对于多层金属布线结构,它用作上下两层金属之间的绝缘介质,可防止金属之间发生短路。


产品选购

尺寸氧化抛光
2英寸无氧化单抛
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6英寸  
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晶向导电类型材料
<100>N型提拉法CZ
<111>P型区熔法FZ
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